| Индекс УДК
|
Наименование раздела
|
|
621.382.322
|
Аналоговые транзисторы (управляемые посредством стягивания тока в контакте). Канальные транзисторы
|
|
621.382.33
|
Биполярные транзисторы (использующие оба типа носителей)
|
|
621.382.23
|
Плоскостные диоды
|
|
621.382.233
|
Плоскостные диоды с несколькими p-n-переходами
|
|
621.382.232
|
Плоскостные диоды с одним p-n-переходом
|
|
621.382.333
|
Плоскостные транзисторы (с p-n-переходами). Диффузионные транзисторы. Тянутые транзисторы
|
|
621.382.332.3
|
Поверхностно-барьерные транзисторы
|
|
621.382.323
|
Полевые транзисторы(управляемые внешними полями)
|
|
621.382.2
|
Полупроводниковые (кристаллические) диоды
|
|
621.382.333.4
|
Полупроводниковые тетроды
|
|
621.382.3
|
Полупроводниковые триоды (транзисторы)
|
|
621.382.332.9
|
Прочие транзисторы с запирающим слоем (например, ниточные транзисторы)
|
|
621.382.22
|
Точечные диоды
|
|
621.382.332.2
|
Точечные транзисторы
|
|
621.382.333.34
|
Транзисторы с более чем двумя p-n-переходами
|
|
621.382.333.33
|
Транзисторы с двумя p-n-переходами (например, дрейфовые транзисторы)
|
|
621.382.332
|
Транзисторы с запирающим слоем (без p-n-переходов)
|
|
621.382.334
|
Транзисторы с контактами различного типа (например, одновременно с плоскостными и точечными. Спейсисторы)
|
|
621.382.333.32
|
Транзисторы с одним p-n-переходом (например, двухбазовые диоды)
|
|
621.382.333.3
|
Транзисторы (триоды)
|
|
621.382.32
|
Униполярные транзисторы (использующие только один тип носителей)
|
|
621.382.2/.3
|
Электрические полупроводниковые приборы
|
|
621.382.032.27
|
Электроды полупроводниковых приборов
|
|
621.382
|
Электронные элементы, использующие свойства твердого тела. Полупроводниковая электроника
|
На главную